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DMG6968U-7

FET - 单路 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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品牌 Diodes Inc 无铅情况/RoHS 符合
型号 DMG6968U-7 起订量/递增量 1/1
封装 SOT23-3 包装量 3000
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3000
品牌 Diodes Inc 无铅情况/RoHS 符合
型号 DMG6968U-7 起订量/递增量 1/1
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替代器件

制造商
Diodes Incorporated
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
零件状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25 毫欧 @ 6.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA
Vgs(最大值)
±12V
功率耗散(最大值)
1.3W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源电压(Vdss)
20 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.5 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
151 pF @ 10 V
基本产品编号
制造商: Diodes Inc 最小包装量: 3000
封装: SOT23-3 包装: Tape&Reel
类别: FET - 单路 无铅情况/RoHS: 符合
商品描述: FET - 单路 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
参数 数值
重量 0.028克(g)
买了又买
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