RF 场效应晶体管现货采购价格/规格/型号信息_ RF 场效应晶体管订货报价-iCEasy(艾矽易)

RF 场效应晶体管共 1702 个产品

分类：

不限

制造商：

不限

展开

包装

*(1)
Tray(20)
Tube(45)

系列

*(4)
-(643)
SI(3)
SIR(1)
TrenchFET®(14)

电压 - 额定

-(6)
100V(24)
104V(6)
105V(2)
10V(19)
110V(59)
110VDC(2)
115V(4)
115VDC(4)
11V(3)
12.5V(5)
12.5VDC(5)
120V(4)
125V(25)
12V(8)
130V(22)
133V(18)
14V(4)
15V(43)
170V(1)
18V(3)
20V(13)
250V(1)
25V(37)
28V(3)
28VDC(12)
30V(22)
30VDC(3)
3V(11)
40V(53)
40VDC(6)
4V(11)
50V(6)
5V(4)
60V(1)
65V(186)
65VDC(76)
66V(26)
68V(71)
6V(18)
7.5V(6)
70V(36)
70VDC(13)
75V(1)
7V(18)
80V(7)
89V(7)
8V(1)

装配类型

*(1)
Surface Mount(9)
Through Hole(1)

额定电流

-(137)
1.3A(3)
1.4µA(7)
1.5A(3)
1.7A(3)
10.2A(2)
100mA(2)
10mA(13)
10µA(279)
120mA(3)
12A(4)
13mA(2)
14A(3)
15mA(8)
17A(1)
18A(2)
18mA(2)
1A(4)
1µA(6)
2.1A(1)
2.2A(1)
2.5A(7)
2.5mA(24)
2.8µA(2)
2.9A(4)
20A(4)
20mA(4)
250mA(1)
250mA, 1A(1)
25mA(4)
2A(4)
3.1A(1)
3.5A(1)
30mA(69)
32A(1)
36A(1)
3A(3)
3µA(11)
40A(9)
40mA(17)
42A(6)
43A(4)
4A(14)
500mA(1)
50mA(38)
56A(1)
5A(12)
5mA(14)
6.5mA(2)
60mA(12)
6A(5)
70mA(5)
7A(14)
7mA(2)
7µ(7)
8.5A(1)
88A(2)
88mA(2)
8A(3)
8mA(1)
97mA(1)
9A(5)

封装/外壳

*(1)
0402 (1005 Metric)(1)
0505 (1412 Metric)(1)
16-DFF, Exposed Pad(1)
16-DIP (0.300", 7.62mm)(1)
24-PowerQFN(5)
4-SMD, Flat Leads(9)
4-XFBGA(2)
6-TSSOP, SC-88, SOT-363(21)
6-UFBGA(2)
8-LPCC(1)
8-PowerVDFN(1)
M113(1)
M174(1)
M177(1)
M243(2)
M244(1)
M250(4)
NI-1230(44)
NI-1230-4LS2L(4)
NI-1230S(12)
NI-360(5)
NI-360HF(2)
NI-400(2)
NI-400S(2)
NI-400S-240(2)
NI-780(42)
NI-780-4(18)
NI-780-4S4(2)
NI-780GS(2)
NI-780HS-4(25)
NI-780S(61)
NI-780S-6(4)
NI-860C3(5)
NI-880(18)
NI-880S(10)
NI-880X-4L4S-8(3)
NI-880XS(3)
NI-880XS-6(2)
OM-780-2(21)
OM780-4(11)
PLD-1.5(21)
PLD-1.5W-2(7)
PowerPAK(2)
PowerPAK® SC-75-6L(1)
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad(16)
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)(9)
SC-61AA(2)
SC-70, SOT-323(2)
SC-70-6(1)
SC-75, SOT-416(1)
SC-82A, SOT-343(24)
SOIC-8(2)
SOT-1110A(4)
SOT-1110B(4)
SOT-1121A(3)
SOT-123A(1)
SOT-143R(12)
SOT-23(3)
SOT-323-3(1)
SOT-343F(5)
SOT-502A(4)
SOT-502B(1)
SOT-538A(1)
SOT-540A(1)
SOT-563, SOT-666(3)
SOT-608B(1)
SOT-975C(1)
SOT-979A(11)
SOT1130A(2)
SOT1135B(1)
SOT223(6)
SOT467B(2)
SOT467C(2)
SOT539A(12)
SOT539B(3)
SOT669(2)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)(20)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads(2)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3(65)
TO-243AA(2)
TO-253-4, TO-253AA(29)
TO-270-2(4)
TO-270-2 Gull Wing(15)
TO-270AA(30)
TO-270AB(32)
TO-270BB(2)
TO-271AA(1)
TO-272-16 Variant, Flat Leads(1)
TO-272-2(1)
TO-272-4(6)
TO-272-8(1)
TO-272AA(3)
TO-272BA(2)
TO-272BB(25)
TO-272BC(2)

操作温度

-55°C ~ 125°C(1)
-55°C ~ 150°C(20)
-55°C ~ 175°C(8)

供应商器件封装

*(1)
10-PowerSO(8)
16-DIP(1)
16-HTSSOP(1)
2-CDIP(1)
3-CP(33)
4-Microfoot(2)
6-Micro Foot™(2)
6-TSSOP(20)
79A(3)
8-LPCC (2x2)(1)
CDFM2(14)
CDFM4(5)
CMPAK-4(21)
CRFM4(1)
F4TSMM, M04(1)
LDMOST(11)
M04(4)
M113(1)
M174(1)
M177(1)
M243(2)
M244(1)
M250(4)
MiniPak 1412(1)
NI-1230(31)
NI-1230-4LS2L(4)
NI-1230S(12)
NI-360(1)
NI-360HF(2)
NI-400(2)
NI-400S(1)
NI-400S-240(3)
NI-780(42)
NI-780-4(12)
NI-780-4S4(2)
NI-780GS(2)
NI-780HS-4(22)
NI-780S(47)
NI-780S-6(6)
NI-860C3(5)
NI-880(18)
NI-880S(10)
NI-880X-4L4S-8(3)
NI-880XS(3)
NI-880XS-6(2)
NI1230-8(4)
NI1230S-8(4)
OM-780-2(21)
OM780-4(3)
PLD-1.5(21)
PW-MINI(1)
PW-X(1)
PowerFLAT™ (5x5)(1)
PowerPAK® SC-75-6L Single(1)
PowerPAK® SO-8(1)
PowerSO-10RF (Formed Lead)(9)
PowerSO-10RF (Straight Lead)(8)
S02(6)
SC-75A(1)
SC-89-6(1)
SMQ(2)
SOT-143B(28)
SOT-143R(13)
SOT-23-3 (TO-236)(16)
SOT-343(2)
SOT-363(1)
SOT-666(2)
SOT-89(1)
SOT502B(1)
SOT539A(12)
SOT539B(1)
TO-270 WB-4(19)
TO-270-2(15)
TO-270-2 GULL(8)
TO-272 WB-16(1)
TO-272 WB-4(20)
TO-272-2(3)
TO-272-4(6)
TO-272-6(3)
TO-272-8 Flat Lead(1)
TO-92-3(22)
USM(1)
USQ(1)

功率 - 最大值

1.6W(1)
2.5W(1)
220mW(1)
240mW(1)
4W(1)
500mW(2)
5W(1)
780mW(2)

长度

6.15mm(1)

电源电压

28 V(14)
30V(20)
60V(8)

高度

1.04mm(1)

宽度

5.15mm(1)

频率

-(43)
1.03GHz(11)
1.03GHz ~ 1.09GHz(7)
1.09GHz(2)
1.2GHz ~ 1.4GHz(4)
1.3GHz(8)
1.4GHz(5)
1.51GHz(4)
1.6GHz(1)
1.805GHz ~ 1.88GHz(5)
1.805GHz ~ 1.995GHz(5)
1.81GHz(12)
1.81GHz ~ 1.88GHz(3)
1.87GHz(1)
1.88GHz(4)
1.88GHz ~ 1.91GHz(16)
1.8MHz ~ 2GHz(16)
1.92GHz(1)
1.93GHz(22)
1.93GHz ~ 1.99GHz(3)
1.96GHz(7)
1.98GHz ~ 2.01GHz(2)
1.99GHz(9)
100MHz(15)
108MHz(2)
10GHz(1)
128MHz(1)
12GHz(6)
130MHz(4)
136MHz ~ 520MHz(8)
136MHz ~ 941MHz(15)
1500MHz(1)
150MHz(2)
175MHz(16)
1805MHz ~ 1880MHZ(8)
1805MHz ~ 1995MHz(8)
1805MHz ~ 2170MHz(3)
1805MHz ~ 2690MHz(7)
1880MHz ~ 2025MHz(8)
190MHz(3)
1MHz(1)
1kHz(36)
2.03GHz(4)
2.11GHz(26)
2.11GHz ~ 2.17GHz(17)
2.14GHz(8)
2.16GHz(2)
2.17GHz(27)
2.39GHz(7)
2.3GHz(6)
2.3GHz ~ 2.4GHz(2)
2.45GHz(1)
2.4GHz ~ 2.5GHz(1)
2.5GHz(2)
2.5GHz ~ 2.7GHz(2)
2.62GHz(4)
2.6GHz(2)
2.7GHz(5)
2.7GHz ~ 3.5GHz(1)
2.9GHz(6)
200MHz(14)
20GHz(1)
2110MHz ~ 2170MHz(5)
220MHz(14)
225MHz(8)
2300MHz ~ 2400MHz(10)
230MHz(29)
2496MHz ~ 2690MHz(19)
2620MHz ~ 2690MHz(4)
2GHz(11)
3.1GHz(1)
3.4GHZ(3)
3.55GHz(10)
30MHz(3)
400MHz(38)
450MHz(9)
460MHz(1)
465MHz(2)
470MHz(3)
470MHz ~ 860MHz(4)
4GHz(1)
500MHz(22)
500MHz ~ 1.1GHz(2)
520MHz(15)
7.2GHz ~ 9.60GHz(3)
700MHz ~ 1000MHz(3)
728MHz ~ 768MHz(2)
748MHz(3)
764MHz ~ 941MHz(7)
768MHz(2)
800MHz(26)
820MHz(4)
857MHz(3)
860MHz(43)
865MHz ~ 960MHz(2)
870MHz(15)
880MHz(30)
895MHz(2)
900MHz(2)
920MHz(16)
920MHz ~ 960MHz(5)
940MHz(4)
945MHz(21)
960MHz(32)
965MHz ~ 1.215GHz(5)

功能

Multiplexer(1)
Power MOSFET(28)

FET 类型

2 N-Channel (Dual)(1)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(5)
MOSFET P-Channel, Metal Oxide(3)
N and P-Channel Complementary(1)

FET 功能

Logic Level Gate(10)

漏源极电压 (Vdss)

100V(1)
12V(1)
20V(6)
60V(1)
8V(1)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）

*(2)
10.8 mOhm @ 20A, 10V(1)
90 mOhm @ 1.5A, 4.5V(1)

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA(3)
2.5V @ 250µA(1)
2.8V @ 250µA(1)
700mV @ 250µA(2)
720mV @ 250µA(1)
900mV @ 250µA(2)

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)

*(1)
10nC @ 4.5V(1)
12nC @ 10V(1)
15nC @ 4.5V(1)
15nC @ 8V(1)
18nC @ 8V(2)
2nC @ 4.5V(1)
33nC @ 8V(1)
49nC @ 10V(1)

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

-(4)
1630pF @ 50V(1)
43pF @ 10V(2)
470pF @ 25V(1)
630pF @ 10V(2)

功率耗散（最大值）

1.25W(Ta),2.5W(Tc)(3)
420mW(1)
5W(Ta),39W(Tc)(2)
5W(Ta),62.5W(Tc)(1)
6.25W(Ta),104W(Tc)(1)

晶体管类型

E-pHEMT(1)
HFET(11)
LDMOS(493)
LDMOS (Dual)(169)
LDMOS (Dual), Common Source(2)
N-Channel(91)
N-Channel Dual Gate(75)
N-Channel JFET(87)
pHEMT FET(14)

增益

*(1)
-(121)
10.8dB(1)
10dB(6)
11.4dB(1)
11.5dB(5)
11dB(5)
12.5dB(3)
12dB(6)
13.3dB(6)
13.5dB(11)
13.9dB(2)
13dB(10)
14.1dB(10)
14.2dB(5)
14.3dB(5)
14.4dB(4)
14.5dB(13)
14.6dB(9)
14.8dB(6)
14dB(26)
15.1dB(8)
15.2dB(8)
15.3dB(2)
15.4dB(1)
15.5dB(15)
15.6dB(3)
15.7dB(3)
15.9dB(2)
15dB(28)
16.1dB(5)
16.3dB(3)
16.4dB(6)
16.5dB(4)
16.6dB(2)
16.7dB(12)
16.8dB(2)
16dB(50)
17.2dB(9)
17.3dB(10)
17.5dB(17)
17.6dB(10)
17.7dB(7)
17.8dB(16)
17.9dB(15)
17dB(20)
18.1dB(4)
18.2dB(13)
18.3dB(15)
18.5dB(3)
18.6dB(3)
18.7dB(1)
18.8dB(4)
18.9dB(6)
18dB(34)
19.1dB(8)
19.2dB(1)
19.3dB(15)
19.4db(8)
19.5dB(10)
19.7dB(6)
19.8dB(2)
19.9dB(2)
19dB(25)
20.2dB(6)
20.3dB(6)
20.4dB(3)
20.8dB(1)
20.9dB(10)
20dB(36)
21.1dB(6)
21.2dB(1)
21.4dB(1)
21dB(10)
22.1dB(3)
22.5dB(12)
22.7dB(2)
22dB(28)
23.1dB(2)
23.5dB(1)
23.9dB(3)
23dB(1)
24dB(12)
25.4dB(6)
25.5dB(4)
25.9dB(4)
25dB(27)
26.5dB(9)
26dB(17)
27.7dB(1)
27dB(2)
29dB(10)
30.5dB(3)
30dB(14)
31dB(2)
32.4dB(5)
32dB(3)
35dB(1)
8dB(1)
9dB(1)

电压 - 测试

-(46)
10V(18)
12.5V(30)
12.5VDC(11)
12V(9)
13.6V(20)
15V(12)
2.7V(1)
24V(1)
26V(15)
28V(307)
28VDC(74)
2V(11)
30V(23)
32V(11)
36V(1)
3V(3)
4.5V(2)
40V(7)
48V(2)
50V(181)
5V(85)
6V(4)
7.2V(1)
7.5V(24)
8V(8)
9V(7)

噪声系数

-(497)
0.35dB(2)
0.3dB(3)
0.45dB(3)
0.4dB(2)
0.5dB(3)
0.6dB(8)
0.75dB(1)
0.7dB(1)
0.81dB(1)
0.9dB(15)
1.2dB(4)
1.3dB(4)
1.4dB(2)
1.5dB(12)
1.7dB(6)
13.9dB @ 2GHz(1)
1dB(51)
2.5dB(2)
2dB(17)
3dB(3)
4dB(5)

电流 - 测试

-(70)
0.5mA(1)
1.05A(4)
1.15A(4)
1.1A(17)
1.25A(5)
1.2A(14)
1.35A(3)
1.3A(22)
1.4A(40)
1.5A(17)
1.6A(19)
1.7A(3)
1.8A(5)
1.9A(3)
100mA(80)
10mA(54)
125mA(7)
12mA(13)
130mA(6)
132mA(7)
1400mA(2)
140mA(2)
150mA(48)
15mA(28)
160mA(3)
170mA(2)
180mA(3)
18mA(3)
19mA(10)
1A(15)
1mA(33)
2.2A(1)
2.4A(3)
2.6A(5)
200mA(17)
20mA(2)
250mA(16)
280mA(3)
2A(8)
300mA(10)
30mA(3)
320mA(5)
350mA(28)
360mA(3)
400mA(14)
405mA(1)
40mA(7)
450mA(19)
500mA(57)
50mA(25)
550mA(9)
55mA(4)
5mA(6)
600mA(11)
60mA(2)
610mA(2)
65mA(1)
680mA(4)
690mA(1)
700mA(17)
70mA(6)
750mA(13)
800mA(19)
80mA(2)
850mA(4)
860mA(2)
900mA(18)
90mA(4)
950mA(10)
970mA(3)

功率 - 输出

*(1)
-(148)
1.5W(8)
1000W(19)
100W(18)
100mW(1)
10W(30)
11.5W(1)
11dBm(3)
1200W(2)
120W(3)
1250W(10)
125W(14)
12W(7)
12dBm(1)
130W(3)
14.6dBm(1)
14W(7)
14dBm(2)
15.5W(2)
150W(14)
150mW(2)
15W(10)
16W(9)
17W(1)
18W(19)
18dBm(1)
2.4W(5)
2.5W(1)
20.4dBm(2)
200W(1)
200mW(32)
20W(8)
22W(10)
230W(4)
23W(11)
24W(36)
250W(14)
25W(15)
270W(3)
275W(6)
27W(7)
283W(8)
28W(22)
28dbm(1)
29W(8)
2W(6)
300W(26)
30W(14)
30dBm(4)
31W(2)
320W(6)
32W(5)
330W(5)
33W(6)
34W(6)
35.4dBm(1)
35.5W(1)
350W(3)
35W(9)
36W(2)
37W(3)
38.5W(8)
38.5dBm(1)
38W(1)
390W(1)
39W(2)
3W(15)
4.5W(2)
400W(1)
40W(3)
40dBm(2)
44W(5)
450W(1)
45W(19)
47W(12)
48W(2)
4W(10)
500W(5)
50W(42)
52W(1)
54W(1)
56W(5)
57W(5)
58W(7)
59W(4)
5W(2)
6.3W(3)
600W(17)
60W(12)
63W(23)
65W(3)
6W(8)
7.3W(3)
700mW(1)
70W(11)
72W(13)
74W(6)
750mW(12)
75W(4)
7W(3)
80W(3)
8W(16)
90W(7)
96W(4)
9W(8)

重量

0.008克(g)(1)
0.025克(g)(1)
0.027克(g)(1)
0.035克(g)(1)
0.038克(g)(1)
0.03克(g)(8)
0.041克(g)(1)
0.05克(g)(4)
0.093克(g)(2)
0.122克(g)(2)
0.124克(g)(1)
0.12克(g)(2)
0.131克(g)(1)
0.133克(g)(2)
0.134克(g)(1)
0.162克(g)(8)
0.169克(g)(4)
0.174克(g)(12)
0.175克(g)(3)
0.245克(g)(1)
0.254克(g)(2)
0.256克(g)(6)
0.257克(g)(2)
0.259克(g)(3)
0.25克(g)(4)
0.31克(g)(2)
0.32克(g)(1)
0.3克(g)(4)
0.438克(g)(11)
0.516克(g)(1)
0.674克(g)(3)
100克(g)(2)
2.008克(g)(4)
3.12克(g)(2)
5.05克(g)(2)
6.14克(g)(6)
6.77克(g)(2)

电路

2 x 4:1(1)

电流 - 电源

75µA(1)

电压源

Dual Supply(1)

导通电阻

90 Ohm(1)

电压 - 电源，单/双 (±)

±5 V ~ 20 V(1)

热阻 (Spec)(°C/W)

0.22(3)
0.23(3)
0.5(1)

测试信号

1-Tone(10)
N-CDMA(1)
W-CDMA(25)

匹配

I/O(46)
Input(6)
Unmatched(25)

效率 (Typ) (%)

19.9(3)
27.5(1)
31.4(2)
32(2)
32.9(2)
35.7(3)
35.8(3)
36.3(1)
37.5(2)
38.1(2)
42(1)
43.7(3)
45.1(2)
45.7(3)
45.8(4)
47.7(3)
48.5(2)
48.7(3)
50(3)
51.6(3)
57(1)

最大供电电流

129A(8)
46A(12)
78A(8)

工作温度

-55°C~150°C(TJ)(9)
150℃(6)
175℃(2)

商品目录

MOSFET(8)
N-Channel(8)
小信号MOSFET(1)

FET类型

N(8)
N-Channel(3)
P-Channel(6)

Rds On(max)@Id,Vgs

1.7mΩ@10V(2)
432mΩ@4.5V,385mΩ@10V(2)
805mΩ@4.5V,715mΩ@10V(4)

功率耗散(最大值)

0.75W(4)
0.77W(2)
294W(2)

栅极电压Vgs

20V,1.7V(6)
3V(2)
±12V(4)
±20V(4)

漏源极电压Vds

1.5V(1)
100V(6)
150V(1)
2.8V(1)
20V(3)
40V(4)

输入电容

112pF(4)
195pF(2)
4095pF(2)

输出电容

1083pF(2)
13pF(2)
9pF(4)

连续漏极电流Id

1.1A(5)
1.5A(3)
120A(2)
16.6A(2)
40A(1)
5.1A(3)
53.7A(1)

Rds On(Max）@Id,Vgs

10.8m Ohms(1)
10m Ohms@15A,10V(2)
132m Ohms(1)
18m Ohms(1)
235m Ohms(1)
34m Ohms@5.1A,10V(3)

不同Id时的Vgs（th）（最大值）

1.5V @ 250µA(4)
2.3V @ 250µA(2)
2.8V @ 250µA(1)
3.5V @ 250µA(1)

不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）

144nC @ 10V(2)
20nC @ 4.5V(3)
3nC @ 10V(1)
49nC @ 10V(1)
64nC @ 10V(1)

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）

1630pF @ 50V(1)
2130pF @ 75V(1)
4150pF @ 20V(2)
62pF @ 10V(1)
835pF @ 10V(3)

Pd-功率耗散(Max)

400mW(Ta),500mW(Tc)(1)

驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）

10V(1)
2.5V，10V(3)
4.5V，10V(3)

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制造商型号	制造商	说明	库存	境内交货(含税)	数量	操作

EFC8811R-TF

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ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 3.2 mΩ, 27 A, Dual N-Channel

库存： 820,000

交期： 7-10个工作日

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包装量：5000

Rochester

DC：1832

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BF1202WR,135

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NXP Semiconductors

RF 场效应晶体管 BF1202WR/DFP4/REEL 13" Q1/T1 *

库存： 711,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：10000

Rochester

DC：1202

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EFC8811R-TF

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ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 3.2 mΩ, 27 A, Dual N-Channel

库存： 620,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：5000

Rochester

DC：1828

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EFC8811R-TF

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ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 3.2 mΩ, 27 A, Dual N-Channel

库存： 600,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：5000

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BF1202WR,135

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NXP Semiconductors

RF 场效应晶体管 BF1202WR/DFP4/REEL 13" Q1/T1 *

库存： 480,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：10000

Rochester

DC：1151

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EFC8811R-TF

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ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 3.2 mΩ, 27 A, Dual N-Channel

库存： 450,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：5000

Rochester

DC：1831

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BF1202WR,135

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NXP Semiconductors

RF 场效应晶体管 BF1202WR/DFP4/REEL 13" Q1/T1 *

库存： 425,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：10000

Rochester

DC：1201

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NTMFS4985NFT3G

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ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 NFET SO8FL 30V 65A 5MOH

库存： 400,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：5000

Rochester

DC：1417

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2SK3557-6-TB-E

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ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 RF N-CH JFET 15V 50MA 3CP

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

库存： 399,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：3000

Rochester

DC：1419

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EFC8811R-TF

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ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 3.2 mΩ, 27 A, Dual N-Channel

库存： 360,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：5000

Rochester

DC：1826

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2SK3557-6-TB-E

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对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 RF N-CH JFET 15V 50MA 3CP

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

库存： 330,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：3000

Rochester

DC：1420

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2SK3557-6-TB-E

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ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 RF N-CH JFET 15V 50MA 3CP

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

库存： 327,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：3000

Rochester

DC：1433

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BF1202WR,135

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NXP Semiconductors

RF 场效应晶体管 BF1202WR/DFP4/REEL 13" Q1/T1 *

库存： 320,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：10000

Rochester

DC：1150

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2SK3557-6-TB-E

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ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 RF N-CH JFET 15V 50MA 3CP

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

库存： 265,922

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：3000

Rochester

DC：1403

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2SK3557-6-TB-E

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对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 RF N-CH JFET 15V 50MA 3CP

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

库存： 255,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：3000

Rochester

DC：1418

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2SK3557-6-TB-E

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对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 RF N-CH JFET 15V 50MA 3CP

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

库存： 252,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：3000

Rochester

DC：1410

[]

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2SK3557-6-TB-E

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对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 RF N-CH JFET 15V 50MA 3CP

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

库存： 237,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：3000

Rochester

DC：1348

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SI4202DY-T1-GE3

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Vishay

RF 场效应晶体管 Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

库存： 217,500

交期： 6~9个工作日

起订量：2500

递增量：2500

包装量：2500

亚洲A05

2500+ ¥5.04431

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[ {"priceType":"0","qty":"2500","price":"5.04431", "promotionPrice":"","maxCount":"0", "secKillPrice":"" } ]

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EFC8811R-TF

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ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 3.2 mΩ, 27 A, Dual N-Channel

库存： 210,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：5000

Rochester

DC：1825

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BF1202WR,135

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NXP Semiconductors

RF 场效应晶体管 BF1202WR/DFP4/REEL 13" Q1/T1 *

库存： 208,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

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包装量：10000

Rochester

DC：1147

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NGTB10N60R2DT4G

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ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 IGBT, 600V, 10A, N-Channel

库存： 205,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：2500

Rochester

DC：1827

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EFC8811R-TF

对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 3.2 mΩ, 27 A, Dual N-Channel

库存： 190,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：5000

Rochester

DC：1708

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2SK3557-6-TB-E

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对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 RF N-CH JFET 15V 50MA 3CP

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

库存： 177,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：3000

Rochester

DC：1417

[]

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2SK3557-6-TB-E

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对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 RF N-CH JFET 15V 50MA 3CP

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

库存： 171,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：3000

Rochester

DC：1416

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EFC8811R-TF

对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 3.2 mΩ, 27 A, Dual N-Channel

库存： 170,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

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包装量：5000

Rochester

DC：1824

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PMT200EPEAX

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Nexperia

RF 场效应晶体管 PMT200EPEA/SC-73/REEL 7" Q1/T1

库存： 160,150

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：1000

Rochester

DC：1740

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EFC8811R-TF

对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 3.2 mΩ, 27 A, Dual N-Channel

库存： 155,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：5000

Rochester

DC：1830

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询价

2SK3557-6-TB-E

数据手册

对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 RF N-CH JFET 15V 50MA 3CP

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

库存： 141,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：3000

Rochester

DC：1429

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NTMFS4985NFT3G

对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 NFET SO8FL 30V 65A 5MOH

库存： 120,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：5000

Rochester

DC：1416

[]

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TF414T5G

对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 N-Channel JFET, 40V, 50 to 0.11mS, SOT-883

库存： 104,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：8000

Rochester

DC：1430

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FDMS8320LDC

对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 N-Channel Dual CoolTM 56 Power Trench MOSFET 40V, 192A, 1.1mΩ

库存： 93,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：3000

Rochester

DC：1747

[]

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EFC8811R-TF

对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 3.2 mΩ, 27 A, Dual N-Channel

库存： 90,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：5000

Rochester

DC：1710

[]

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BF1202WR,135

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对比

NXP Semiconductors

RF 场效应晶体管 BF1202WR/DFP4/REEL 13" Q1/T1 *

库存： 90,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：10000

Rochester

DC：1152

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EFC4621R-TR

对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 NCH 2.5V DRIVE SERIES

库存： 85,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：5000

Rochester

DC：1648

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NTMFS4985NFT3G

对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 NFET SO8FL 30V 65A 5MOH

库存： 85,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：5000

Rochester

DC：1424

[]

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2SK3557-6-TB-E

数据手册

对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 RF N-CH JFET 15V 50MA 3CP

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

库存： 84,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：3000

Rochester

DC：1423

[]

询价

2SK3557-6-TB-E

数据手册

对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 RF N-CH JFET 15V 50MA 3CP

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

库存： 75,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：3000

Rochester

DC：1424

[]

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BF1201WR,115

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NXP Semiconductors

RF 场效应晶体管 MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R

封装/外壳：SC-82A, SOT-343

库存： 72,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：3000

Rochester

DC：1348

[]

询价

2SK3557-6-TB-E

数据手册

对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 RF N-CH JFET 15V 50MA 3CP

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

库存： 70,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：3000

Rochester

DC：1444

[]

询价

EFC4621R-TR

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ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 NCH 2.5V DRIVE SERIES

库存： 70,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：5000

Rochester

DC：1321

[]

询价

NTMFS4C10NT1G

对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 Power MOSFET 30V 46A 6.95 mOhm Single N-Channel SO-8FL

库存： 67,500

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：1500

Rochester

DC：1745

[]

询价

2SK3557-6-TB-E

数据手册

对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 RF N-CH JFET 15V 50MA 3CP

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

库存： 60,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：3000

Rochester

DC：1426

[]

询价

2SK3557-6-TB-E

数据手册

对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 RF N-CH JFET 15V 50MA 3CP

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

库存： 57,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：3000

Rochester

DC：1427

[]

询价

NGTB10N60R2DT4G

对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 IGBT, 600V, 10A, N-Channel

库存： 55,000

交期： 7-10个工作日

起订量：1

递增量：1

包装量：2500

Rochester

DC：1825

[]

询价

MMBFJ310LT1G

数据手册

对比

ON Semiconductor（安森美）

RF 场效应晶体管 JFET SS N-CHAN 25V SOT23

封装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

库存： 54,000

交期： 7～10个工作日

起订量：3000

递增量：3000

包装量：3000

海外A01

3000+ ¥2.26994
6000+ ¥2.14383
9000+ ¥2.01772
12000+ ¥1.93365

询价

[ {"priceType":"0","qty":"3000","price":"2.26994", "promotionPrice":"","maxCount":"5999", "secKillPrice":"" } , {"priceType":"0","qty":"6000","price":"2.14383", "promotionPrice":"","maxCount":"8999", "secKillPrice":"" } , {"priceType":"0","qty":"9000","price":"2.01772", "promotionPrice":"","maxCount":"11999", "secKillPrice":"" } , {"priceType":"0","qty":"12000","price":"1.93365", "promotionPrice":"","maxCount":"0", "secKillPrice":"" } ]