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GD32低功耗方案:Deep‑sleep 模式电流<1.8μA,Standby 模式低至 0.26μA

发布时间:2026-02-27

GD32 低功耗系列产品支持高达64MHz的主频、64KB至256K eFlash、16KB至32KB SRAM,以及连接到两条APB总线的各种增强型I/O和外设资源。现了出色的功耗效率。配备丰富的外设接口,GPIO复用率高达93%。可以广泛应用于典型市场,包括工业表计、消费电子设备、便携式医疗设备、电池管理系统、数据采集和传输等市场。

GD32L233

基于 Arm Cortex‑M23 内核的低功耗微控制器,主频最高 64MHz,内置 256KB Flash 与 32KB SRAM,支持 1.71–3.63V 宽电压供电。芯片拥有出色低功耗表现,Stop 模式电流<2μA,Standby 模式低至 0.4μA,集成 Segment LCD 驱动、CRC、TRNG、CAU 等安全与显示外设,提供 LQFP64/48/32、QFN64/32 多种封装,适用于仪表、物联网、电池供电等低功耗嵌入式场景。

GD32L233C-START

GD32L233R-EVAL

GD32L233K-START

(点击查看更多GD32L233产品)


GD32L235

基于 Arm Cortex‑M23 内核的低功耗微控制器,主频最高 64MHz,内置 128KB Flash 与 24KB SRAM,供电电压 1.71–3.63V。芯片具备优异低功耗性能,Deep‑sleep 模式电流<1.8μA,Standby 模式低至 0.26μA,集成 Segment LCD、CAN2.0B、CRC、TRNG、CAU 等丰富外设与安全模块,提供 WLCSP25、QFN64/48/32、LQFP64/48/32 多种封装,适用于仪表、工控、物联网与低功耗嵌入式应用。

GD32L235E-START

(点击查看更多GD32L235产品)


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