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IGBT模块, H桥, 77 A, 2.9 V, 396 W, 125 °C, Module
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IGBT模块, 半桥, 291 A, 1.7 V, 1.102 kW, 150 °C, Module
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碳化硅MOSFET, 半桥, 双N沟道, 484 A, 1.7 kV, 0.00333 ohm, Module
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碳化硅MOSFET, 半桥, Six N Channel, 49 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Module
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碳化硅MOSFET, 碳化硅, 半桥, 双N沟道, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Module
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IGBT模块, 半桥, 951 A, 1.7 V, 3.1 kW, 150 °C, Module
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IGBT模块, 半桥, 396 A, 1.85 V, 1.53 kW, 150 °C, Module
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IGBT模块, PIM 3相输入整流器, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
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IGBT模块, 单, 830 A, 2.9 V, 4.032 kW, 125 °C, Module
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碳化硅MOSFET, 半桥, Six N Channel, 95 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module
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