无锡新洁能股份有限公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售。专注于高性能、高可靠性功率半导体分立器件和多芯片电源管理器件的封装和测试，主营业务为电力电子元器件、集成电路及半导体模块产品的设计、制造和销售。产品优质且系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域。
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新洁能采用第七代微沟槽场截止技术设计制造的量产产品，该系列产品除采用先进的微沟槽技术大幅提高器件元胞结构密度外，还采用了优化的载流子存储设计，多梯度背面缓冲层设计以及超薄漂移区工艺技术，大幅提升器件电流密度，以650V产品为例，产品电流密度可以提升至550A/CM2以上，可以与国际最先进技术世代产品性能达到相同水平。器件的饱和压降和开关损耗大幅度降低，器件折中特性大幅优化，650V 满足中频IGBT 饱和压降典型值仅1.35V，达到目前业界最优水平。此外，该系列产品通过引入多梯度背面缓冲层设计，优化了器件的开关特性，为系统设计提供更大的余量。该系列产品全部基于全球最领先的大尺寸IGBT晶圆制造平台生产，实现了卓越器件电气特性与参数高一致性稳定性的全面结合。