罗彻斯特电子针对传统器件的持续支持
电子产品自问世以来不断快速迭代。内存和微处理器就是这种趋势的实例。这些产品既保持共存，又处于不断竞争和相互激励的状态，从而不断推陈出新。数十年来，它们的技术发展和成功相辅相成。
在早期的微处理器设计中，内存要求很简单，由用于操作的SRAM和满足非易失性存储要求的EPROM组成。在20世纪80年代初，内存和微处理器之间的关系变得显而易见。摩托罗拉的MC68000系列和类似CPU等产品推动了对高容量内存的需求。与此同时，连接到内存的标准并行总线性能开始受限。
凭借其独特的寻址方式和性价比，DRAM成为内存的优先选择。为了推进其产品线，内存制造商通过减少几何尺寸来提升速度和降低功耗。引入同步内存接口进一步提高了性能，并为未来 DRAM 的迭代设定了标准。
20 世纪 80 年代末和 90 年代初，个人电脑行业蓬勃发展，英特尔x86微处理器极大地影响了内存市场。同步DRAM(SDRAM)成为主导解决方案。软件需求的增加也增加了对高密度内存的需求，并且开发了标准化模块来满足容量需求。
对于非易失性存储，AMD/Spansion等供应商开发的并行NOR Flash凭借可重新编程和系统内编程取代了EEPROM，这有利于设计灵活性和自动化制造。
增长不仅限于个人电脑行业；其它图形、网络、存储和游戏应用也正在开发中。例如基于PowerPC®、SPARC、ARM CPU和专用图形处理器等架构的捕获设计对存储器的需求。这些应用利用SDRAM和同步SRAM实现高速应用，并利用小众FIFO/Dual-Port内存来缓冲系统中传输的大量数据。
进入21世纪后，微处理器不断提升性能，多核CPU也变得很普遍。然而，性能并不是唯一关注的指标。最初，功耗对于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等产品是另一个关键参数。微处理器和内存供应商相继推出了专用产品，以应对多样性的需求。
微处理器不断迭代，增加了更多内核，提高了时钟速度。SDRAM演变为DDR SDRAM，使用时钟上下沿来传输数据。随着DDR2、DDR3、DDR4和DDR5版本的开发，以及几个低功耗迭代（移动 DDR、LPDDR），这一演变仍在继续。
闪存市场也很活跃。而今，NAND Flash在与 NOR Flash的竞争中发展，为高容量、非易失性存储提供经济高效的选择。更高容量的NAND解决方案（例如eMMC、UFS和SSD）已经开始取代一些机械存储解决方案（例如HDD）。闪存也正在向串行接口转型，从而减少引脚数并实现更小、更具经济的封装。
那么，这一切意味着什么呢？如今，这种演变在系统生产中随处可见。而医疗、汽车、工业和航空电子系统需要较长的设计周期和广泛的认证测试-这需要政府和国际机构的批准，由于元器件停产而进行的重新设计会耗费过多的时间和资源，从而导致成本过高。
自成立以来，罗彻斯特电子一直通过持续提供关键微处理器和内存来帮助避免重新设计，从而使系统能够继续生产。罗彻斯特电子与供应商和客户合作并紧跟行业变化，不断评估其库存情况，为长生命周期应用提供全面的产品覆盖范围。这包括停产和未停产器件的现货库存、晶圆和裸片库存投资、持续复产的测试能力，以及针对停产元器件的晶圆复产。
当面临由于停产内存、微处理器或其它器件所导致的重新设计时，罗彻斯特电子能够提供相应解决方案。请在停产之前与罗彻斯特电子联系，我们将积极协助您制定生命周期计划。
罗彻斯特电子与微处理器的知名供应商合作，包括已被收购的传统品牌。
数十年，我们一直与存储器供应商合作，同时也与专注于支持传统技术的供应商合作。