无线通信、雷达、电子对抗等系统持续向高功率、高集成度方向演进，无源器件面临功率密度持续提升的挑战。传统GaAs IPD方案在射频性能和集成度方面具有优势，但在大功率场景下的耐受能力存在局限，系统设计师往往需要在集成度与功率冗余之间做出取舍，部分场景需转向陶瓷薄膜或腔体等体积更大的方案。
博瑞集信推出基于特色GaN工艺的大功率无源技术平台，在保持IPD芯片级尺寸与一致性的同时，将功率处理能力拓展至百瓦级以上，为高频大功率系统的无源集成提供了新的技术路径。
技术破局 //////
不止于“小”，更在于“能”
IPD技术将电阻、电容、电感等无源元件集成到单颗芯片上，实现小型化与高一致性。传统GaAs IPD射频性能优异，但功率受限源于两个底层因素：GaAs衬底热导率仅约46 W/(m·K)，热量积聚导致性能退化；加之本征击穿场强有限，制约了器件的电压承受能力。
博瑞集信采用GaN IPD工艺，从材料层面解决了上述问题。SiC衬底的高热导率、GaN的高击穿场强，以及高频下更低的介质损耗，使IPD器件在同等芯片尺寸下大幅提升功率处理能力，同时兼具低插入损耗、小型化、高一致性特性。
这一技术路径将IPD的应用范围从常规功率拓展至百瓦级大功率场景，为高频系统的大功率无源集成提供了兼顾功率、损耗与尺寸的新路径。
产品平台 //////
GaN IPD大功率无源技术平台
博瑞集信基于特色GaN工艺的大功率无源技术平台，目前已形成覆盖多品类、宽频段、高功率等级的无源产品谱系。
- 品类：功分器、耦合器、滤波器、功率负载、固定衰减器等
- 频率：DC~50GHz
- 功率：百瓦级以上，支持按需定制
- 产品形态：可提供裸芯片及封装片等多种形式
核心优势 //////
博瑞集信基于GaN IPD工艺平台的深度协同能力，为客户提供从选型到交付的全链条服务，确保产品从样品到量产的高效衔接。
- 产品形态灵活：支持裸芯片、封装片等多种形式，适配不同系统集成需求
- 定制化能力：频段、功率等级可按需调整，支持定制化开发
- 快速交付：依托晶圆级工艺的规模化优势，实现从样品开发到批量供货的高效衔接
关于博瑞集信 //////
博瑞集信是一家国内领先的自主可控核心芯片和特种通信设备提供商。凭借经验丰富的团队、完备高效的平台、先进可靠的工艺，已在自主可控射频微波领域处于业界领先水平。公司专注于通信、雷达、航空电子等领域的核心芯片及关键模块的研发、生产与销售，通过提供完全自主可控的创新技术与完整的产品解决方案，能够灵活满足不同用户的个性化需求及快速创新需要。
