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数据手册
175°C的额定温度,适合高温要求高的环境
降低电池间距可提升功率密度和效率,降低雷达儿子在同一占地范围内
与标准TrenchMOS相比,改进了SOA和雪崩能力
紧V字GS(th)限制使MOSFET能够轻松并联
高板级可靠性,吸收热循环过程中的机械应力,这与传统QFN封装不同
目视(AOI)焊接检查,无需昂贵的X光设备
焊接湿润,机械焊接良好
可靠性提升,R减少th以及R儿子
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电机、灯具和电磁阀控制
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