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自营 SIHB21N80AE-T1-GE3
Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 17.4 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB21N80AE-T1-GE3, SIHB21N80AE系列
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