自营 U1M-TD

齐纳 该款快恢复、高效率二极管设计精良，额定正向电流IF可达1A，在反向电压VR下能承受最高1000V的压力，确保了在高压环境下的可靠性。其正向电压降VF仅为1.7V，有助于减少能量损耗，提升系统效率。在待机状态下的反向漏电流IR低至5μA，有效降低了能耗。此外，此二极管瞬态峰值电流IFSM可承受30A，增强了其在瞬变条件下的耐用性，适用于需要高效能二极管的各种电路保护与转换应用中。